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热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究

王生凯,  靳川,  乔凯,  焦岗成,  程宏昌,  刘晖,  苗壮

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王生凯, 靳川, 乔凯, 焦岗成, 程宏昌, 刘晖, 苗壮. 热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究[J]. 红外技术, 2019, 41(6): 585-590.
引用本文: 王生凯, 靳川, 乔凯, 焦岗成, 程宏昌, 刘晖, 苗壮. 热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究[J]. 红外技术, 2019, 41(6): 585-590.
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WANG Shengkai, JIN Chuan, QIAO Kai, JIAO Gangcheng, CHENG Hongchang, LIU Hui, MIAO Zhuang. Impact of Annealing Temperature on SNR in Backside-illuminated CMOS Image Sensor: an Experimental Study[J]. Infrared Technology , 2019, 41(6): 585-590.
Citation: WANG Shengkai, JIN Chuan, QIAO Kai, JIAO Gangcheng, CHENG Hongchang, LIU Hui, MIAO Zhuang. Impact of Annealing Temperature on SNR in Backside-illuminated CMOS Image Sensor: an Experimental Study[J]. Infrared Technology , 2019, 41(6): 585-590.
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热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究

基金项目: 中央军委装备发展部装备预研项目%中国兵器创新团队项目
详细信息

  • 中图分类号: TN215

Impact of Annealing Temperature on SNR in Backside-illuminated CMOS Image Sensor: an Experimental Study

    摘要
  • 摘要: 基于真空光电阴极和背照式CMOS图像传感器研制了电子轰击CMOS(EBCMOS)混合型光电探测器.为了对BSI-CMOS图像传感器在EBCMOS混合型光电探测器领域的应用提供可靠性指导,对BSI-CMOS图像传感器进行了100℃～325℃的变温热处理实验,着重分析了热处理后的BSI-CMOS图像传感器的光响应输出信号值、固定模式噪声(fixed pattern noise,FPN)、随机噪声及信噪比(signal-to-noise ration,SNR)随热处理温度的变化规律.实验结果表明:随着热处理温度的升高,样品器件的光响应输出信号值基本保持不变,当温度升高至325℃时,样品器件的固定模式噪声由32 e-升高至246 e-,随机噪声由51 e-升高至70 e-,信噪比由17.76 dB降低至4.81 dB,其中信噪比的降低主要归因于固定模式噪声的增大,热处理温度达到325℃会导致BSI-CMOS图像传感器信噪比明显降低.
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