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InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术

龚燕妮,  杨文运,  杨绍培,  范明国,  褚祝军

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文章导航 > 红外技术  > 2019 >  41(6): 511-514
龚燕妮, 杨文运, 杨绍培, 范明国, 褚祝军. InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术[J]. 红外技术, 2019, 41(6): 511-514.
引用本文: 龚燕妮, 杨文运, 杨绍培, 范明国, 褚祝军. InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术[J]. 红外技术, 2019, 41(6): 511-514.
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GONG Yanni, YANG Wenyun, YANG Shaopei, FAN Mingguo, CHU Zhujun. Study on the ICPCVD Technology of Silicon Nitride Passivation Films for InP/InGaAs Detectors[J]. Infrared Technology , 2019, 41(6): 511-514.
Citation: GONG Yanni, YANG Wenyun, YANG Shaopei, FAN Mingguo, CHU Zhujun. Study on the ICPCVD Technology of Silicon Nitride Passivation Films for InP/InGaAs Detectors[J]. Infrared Technology , 2019, 41(6): 511-514.
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InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术

  • 北方夜视技术股份有限公司,云南昆明 650223;北方夜视科技集团有限公司,云南昆明 650223

  • 北方夜视科技集团有限公司,云南昆明,650223

  • 北方夜视科技集团有限公司

基金项目: 云南省基础研究重大项目(2016FC002)
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  • 中图分类号: TN363

Study on the ICPCVD Technology of Silicon Nitride Passivation Films for InP/InGaAs Detectors

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