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液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究

王静宇,  宋林伟,  孔金丞,  吴军,  洪雁,  张阳,  李东升

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王静宇, 宋林伟, 孔金丞, 吴军, 洪雁, 张阳, 李东升. 液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究[J]. 红外技术, 2018, 40(10): 925-930.
引用本文: 王静宇, 宋林伟, 孔金丞, 吴军, 洪雁, 张阳, 李东升. 液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究[J]. 红外技术, 2018, 40(10): 925-930.
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WANG Jingyu, SONG Linwei, KONG Jincheng, WU Jun, HONG Yan, ZHANG Yang, LI Dongsheng. Study of Chemo-mechanical Polishing Process of Long-wave HgCdTe Film Grown by LPE[J]. Infrared Technology , 2018, 40(10): 925-930.
Citation: WANG Jingyu, SONG Linwei, KONG Jincheng, WU Jun, HONG Yan, ZHANG Yang, LI Dongsheng. Study of Chemo-mechanical Polishing Process of Long-wave HgCdTe Film Grown by LPE[J]. Infrared Technology , 2018, 40(10): 925-930.
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液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215%O484.1

Study of Chemo-mechanical Polishing Process of Long-wave HgCdTe Film Grown by LPE

    摘要
  • 摘要: 基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光前、后的材料表面进行分析表征.研究结果表明,化学机械抛光工艺能有效去除外延材料表面固有的竖纹、花纹、斜纹等宏观缺陷,同时可明显改善外延材料表面平整度及粗糙度,0.5 mm×0.5 mm范围内薄膜表面平整度值降低到20 nm以下,粗糙度值降低到4 nm以下,提高了碲镉汞外延材料表面质量.化学机械抛光后的长波材料经标准器件工艺制备出的焦平面器件可达到较好长波器件水平.
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