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基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高温器

覃钢,  夏菲,  周笑峰,  洪秀彬,  李俊斌,  杨春章,  李艳辉,  常超,  杨晋,  李东升

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覃钢, 夏菲, 周笑峰, 洪秀彬, 李俊斌, 杨春章, 李艳辉, 常超, 杨晋, 李东升. 基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高温器[J]. 红外技术, 2018, 40(9): 853-862.
引用本文: 覃钢, 夏菲, 周笑峰, 洪秀彬, 李俊斌, 杨春章, 李艳辉, 常超, 杨晋, 李东升. 基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高温器[J]. 红外技术, 2018, 40(9): 853-862.
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QIN Gang, XIA Fei, ZHOU Xiaofeng, HONG Xiubin, LI Junbing, YANG Chunzhang, LI Yanhui, CHANG Chao, YANG Jin, LI Dongsheng. HgCdTe HOT Infrared Devices Based on nBn Barrier Impeded Structure[J]. Infrared Technology , 2018, 40(9): 853-862.
Citation: QIN Gang, XIA Fei, ZHOU Xiaofeng, HONG Xiubin, LI Junbing, YANG Chunzhang, LI Yanhui, CHANG Chao, YANG Jin, LI Dongsheng. HgCdTe HOT Infrared Devices Based on nBn Barrier Impeded Structure[J]. Infrared Technology , 2018, 40(9): 853-862.
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基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高温器

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 国网辽阳供电公司,辽宁辽阳,111000

  • 中国人民解放军陆军边海防学院昆明校区,云南昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

  • 国网辽阳供电公司

基金项目: 装备预研基金
详细信息

  • 中图分类号: TN304

HgCdTe HOT Infrared Devices Based on nBn Barrier Impeded Structure

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