长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究

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长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究

林占文, 韩福忠, 耿松, 李雄军, 史琪, 王海澎, 王向前, 蒋俊

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林占文, 韩福忠, 耿松, 李雄军, 史琪, 王海澎, 王向前, 蒋俊. 长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究[J]. 红外技术, 2018, 40(7): 668-672,711.

引用本文:

林占文, 韩福忠, 耿松, 李雄军, 史琪, 王海澎, 王向前, 蒋俊. 长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究[J]. 红外技术, 2018, 40(7): 668-672,711.

Study on the Hydrogenation Treatment of Long Wavelength HgCdTe Material Surface[J]. Infrared Technology , 2018, 40(7): 668-672,711.

Citation:

Study on the Hydrogenation Treatment of Long Wavelength HgCdTe Material Surface[J]. Infrared Technology , 2018, 40(7): 668-672,711.

林占文, 韩福忠, 耿松, 李雄军, 史琪, 王海澎, 王向前, 蒋俊. 长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究[J]. 红外技术, 2018, 40(7): 668-672,711.

引用本文:

林占文, 韩福忠, 耿松, 李雄军, 史琪, 王海澎, 王向前, 蒋俊. 长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究[J]. 红外技术, 2018, 40(7): 668-672,711.

Study on the Hydrogenation Treatment of Long Wavelength HgCdTe Material Surface[J]. Infrared Technology , 2018, 40(7): 668-672,711.

Citation:

Study on the Hydrogenation Treatment of Long Wavelength HgCdTe Material Surface[J]. Infrared Technology , 2018, 40(7): 668-672,711.

长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究

昆明物理研究所,云南昆明,650223
中国科学院昆明物理研究所

中图分类号: TN215
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出版历程

Study on the Hydrogenation Treatment of Long Wavelength HgCdTe Material Surface

摘要: 本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比.利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表明:对长波HgCdTe材料表面进行氢化处理能有效降低MIS器件的界面态、改善二极管器件性能,同时能够增大焦平面器件的信号响应度、减小盲元率.该研究对改善长波HgCdTe/钝化层的界面态以及提高长波HgCdTe器件性能提供了依据.
- 长波碲镉汞 /
- 氢化处理 /
- AFM /
- 界面电学特性 /
- I-V /
- 焦平面器件测试

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