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3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究

林占文,  韩福忠,  耿松,  李雄军,  史琪,  王向前

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文章导航 > 红外技术  > 2018 >  40(4): 322-326
林占文, 韩福忠, 耿松, 李雄军, 史琪, 王向前. 3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究[J]. 红外技术, 2018, 40(4): 322-326.
引用本文: 林占文, 韩福忠, 耿松, 李雄军, 史琪, 王向前. 3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究[J]. 红外技术, 2018, 40(4): 322-326.
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LIN Zhanwen, HAN Fuzhong, GENG Song, LI Xiongjun, SHI Qi, WANG Xiangqian. Study of Stress in ZnS Passivation Films Prepared on 3 Inch Ge-based HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2018, 40(4): 322-326.
Citation: LIN Zhanwen, HAN Fuzhong, GENG Song, LI Xiongjun, SHI Qi, WANG Xiangqian. Study of Stress in ZnS Passivation Films Prepared on 3 Inch Ge-based HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2018, 40(4): 322-326.
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3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究

  • 昆明物理研究所,云南 昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN305

Study of Stress in ZnS Passivation Films Prepared on 3 Inch Ge-based HgCdTe

    摘要
  • 摘要: 针对大面积碲镉汞表面钝化膜的应力问题,基于磁控溅射技术在3 in Ge基碲镉汞表面采用不同工艺条件沉积了ZnS钝化膜,并对其进行了退火处理.利用台阶仪和原子力显微镜(AFM)对ZnS钝化膜的应力及表面形貌进行了表征分析,结果表明:在磁控溅射方法中适当提高沉积温度和降低溅射功率,有效降低了ZnS钝化膜应力,平均应力由原来的924 MPa减小到749 MPa,且提高了应力分布均匀性;此外,退火处理有效降低了钝化膜的应力,并改善了ZnS薄膜的晶粒大小一致性和致密度.该研究为减小大尺寸碲镉汞表面钝化膜应力提供了思路.
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