InSb芯片表面抛光及腐蚀研究

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InSb芯片表面抛光及腐蚀研究

郭胜, 信思树, 龚晓霞, 袁俊, 郭杰

文章导航 > 红外技术 > 2018 > 40(2): 133-138

郭胜, 信思树, 龚晓霞, 袁俊, 郭杰. InSb芯片表面抛光及腐蚀研究[J]. 红外技术, 2018, 40(2): 133-138.

引用本文:

郭胜, 信思树, 龚晓霞, 袁俊, 郭杰. InSb芯片表面抛光及腐蚀研究[J]. 红外技术, 2018, 40(2): 133-138.

GUO Sheng, XIN Sishu, GONG Xiaoxia, YUAN Jun, GUO Jie. Research on Surface Polishing and Corrosion of InSb Chip[J]. Infrared Technology , 2018, 40(2): 133-138.

Citation:

GUO Sheng, XIN Sishu, GONG Xiaoxia, YUAN Jun, GUO Jie. Research on Surface Polishing and Corrosion of InSb Chip[J]. Infrared Technology , 2018, 40(2): 133-138.

郭胜, 信思树, 龚晓霞, 袁俊, 郭杰. InSb芯片表面抛光及腐蚀研究[J]. 红外技术, 2018, 40(2): 133-138.

引用本文:

郭胜, 信思树, 龚晓霞, 袁俊, 郭杰. InSb芯片表面抛光及腐蚀研究[J]. 红外技术, 2018, 40(2): 133-138.

GUO Sheng, XIN Sishu, GONG Xiaoxia, YUAN Jun, GUO Jie. Research on Surface Polishing and Corrosion of InSb Chip[J]. Infrared Technology , 2018, 40(2): 133-138.

Citation:

GUO Sheng, XIN Sishu, GONG Xiaoxia, YUAN Jun, GUO Jie. Research on Surface Polishing and Corrosion of InSb Chip[J]. Infrared Technology , 2018, 40(2): 133-138.

InSb芯片表面抛光及腐蚀研究

云南师范大学物理与电子信息学院,云南昆明 650500;云南省光电信息技术重点实验室,云南昆明 650500
昆明物理研究所,云南昆明,650223
中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(61274137,11304274)%云南省教育厅基金资助项目(2014Z043)

中图分类号: TN304%TN215
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出版历程

Research on Surface Polishing and Corrosion of InSb Chip

摘要: 表面抛光及腐蚀是InSb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺.本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后"亮点"等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对 InSb形貌的影响.实验发现,在压力低于4.5 N、转速低于80 r/min、抛料配比为1:1、滴料速度小于1滴/s或加入氧化剂H2O2时,InSb芯片表面"亮点"得到了有效的解决.采用自行研制的AB腐蚀液对抛光后的材料进行腐蚀,消除损伤层,处理后InSb芯片表面光亮、平整.经表面处理过的芯片制备而得器件所测I-V曲线得出:暗电流大幅降低,R0A为8.16×102?·cm2,黑体探测率D*为3.1× 1010cm·Hz1/2·W-1.
- InSb芯片 /
- 表面亮点 /
- 机械抛光 /
- 材料腐蚀

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