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InP/InGaAs探测器对伪装目标成像研究

向梦 邵文斌 史衍丽

向梦, 邵文斌, 史衍丽. InP/InGaAs探测器对伪装目标成像研究[J]. 红外技术, 2017, 39(10): 873-879.
引用本文: 向梦, 邵文斌, 史衍丽. InP/InGaAs探测器对伪装目标成像研究[J]. 红外技术, 2017, 39(10): 873-879.
XIANG Meng, SHAO Wenbin, SHI Yanli. Camouflage Recognition Study by InP/InGaAs Short Wavelength Infrared Detectors[J]. Infrared Technology , 2017, 39(10): 873-879.
Citation: XIANG Meng, SHAO Wenbin, SHI Yanli. Camouflage Recognition Study by InP/InGaAs Short Wavelength Infrared Detectors[J]. Infrared Technology , 2017, 39(10): 873-879.

InP/InGaAs探测器对伪装目标成像研究

基金项目: 云南省科技厅基础研究重点基金项目(2015FA040)
详细信息
  • 中图分类号: TN215%TN216

Camouflage Recognition Study by InP/InGaAs Short Wavelength Infrared Detectors

  • 摘要: 高性能InP/InGaAs宽光谱探测器将前截止波长延伸到0.9μm之前,实现可见/短波双波段探测,大大丰富了探测目标的信息量,提高对目标的识别率.本文采用InP/InGaAs宽光谱探测器相机,通过设置一系列伪装实验,对比不同伪装目标的可见光波图像与短波红外图像的差异,重点探究短波红外对伪装目标的识别特性.通过实验结果发现:短波红外对一定厚度塑料、硅胶、皮肤具有穿透性;颜料、染料等同色不同材质的物体对短波红外具有选择性吸收,基于以上特性,短波红外体现了较好的伪装识别效果.在成像对比实验的基础上,进一步选择伪装效果对可见光和短波红外具有明显差异的实验样品,分别测量了它们对短波红外和可见光的反射率等参数,以深入地分析和理解短波红外识别伪装的机理.
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