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分子束外延中波红外碲镉汞原位p-on-n技术研究

覃钢,  李东升,  李雄军,  李艳辉,  王向前,  杨彦,  铁筱莹,  左大凡,  薄俊祥

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覃钢, 李东升, 李雄军, 李艳辉, 王向前, 杨彦, 铁筱莹, 左大凡, 薄俊祥. 分子束外延中波红外碲镉汞原位p-on-n技术研究[J]. 红外技术, 2016, 38(10): 820-824.
引用本文: 覃钢, 李东升, 李雄军, 李艳辉, 王向前, 杨彦, 铁筱莹, 左大凡, 薄俊祥. 分子束外延中波红外碲镉汞原位p-on-n技术研究[J]. 红外技术, 2016, 38(10): 820-824.
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QIN Gang, LI Dongsheng, LI Xiongjun, LI Yanhui, WANG Xiangqian, YANG Yan, TIE Xiaoying, ZUO Dafan, BO Junxiang. Research on the Technique of in-situ p-on-n MWIR-MCT by MBE[J]. Infrared Technology , 2016, 38(10): 820-824.
Citation: QIN Gang, LI Dongsheng, LI Xiongjun, LI Yanhui, WANG Xiangqian, YANG Yan, TIE Xiaoying, ZUO Dafan, BO Junxiang. Research on the Technique of in-situ p-on-n MWIR-MCT by MBE[J]. Infrared Technology , 2016, 38(10): 820-824.
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分子束外延中波红外碲镉汞原位p-on-n技术研究

  • 昆明物理研究所,云南 昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 装备预研基金。
详细信息

  • 中图分类号: TN304

Research on the Technique of in-situ p-on-n MWIR-MCT by MBE

    摘要
  • 摘要: 研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术，研究了原位p-on-n材料杂质的电学激活退火技术。利用傅里叶变换红外透过测试拟合得到了材料的组分、厚度均匀性，利用X-ray双晶衍射测试结果分析了晶体质量，并统计了材料的EPD值。利用SIMS测试分析了材料中杂质分布状况和浓度，对台面器件I-V特性曲线进行了测试分析。
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