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高性能InP/InGaAs宽光谱红外探测器

史衍丽 李龙 杨绍培 刘文波 范明国 龚燕妮 葛鹏 李雪

史衍丽, 李龙, 杨绍培, 刘文波, 范明国, 龚燕妮, 葛鹏, 李雪. 高性能InP/InGaAs宽光谱红外探测器[J]. 红外技术, 2016, 38(1): 1-5.
引用本文: 史衍丽, 李龙, 杨绍培, 刘文波, 范明国, 龚燕妮, 葛鹏, 李雪. 高性能InP/InGaAs宽光谱红外探测器[J]. 红外技术, 2016, 38(1): 1-5.
High Performance InP/InGaAs Wide Spectrum Infrared Detectors[J]. Infrared Technology , 2016, 38(1): 1-5.
Citation: High Performance InP/InGaAs Wide Spectrum Infrared Detectors[J]. Infrared Technology , 2016, 38(1): 1-5.

高性能InP/InGaAs宽光谱红外探测器

基金项目: 云南省重点基金项目(2015FA040)
详细信息
  • 中图分类号: TN215

High Performance InP/InGaAs Wide Spectrum Infrared Detectors

  • 摘要: InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器是一种高性能的近室温工作器件,从200K到室温下都能获得较好的器件性能,从而大大降低了对制冷的要求.为了充分利用目标在可见光和短波波段的光谱信息,通过特殊的材料结构设计和器件背减工艺,成功实现了320×256InP/InGaAs宽光谱红外探测器,能够同时对可见光和短波红外响应,并从77 K到263 K工作温度下实现了对人脸、计算机及室外2.3 km处的景物成像.测试样管平均峰值探测率为2×1012 cmHz1/2/W,光谱响应为0.6~1.7 μm,光谱响应测试和成像结果同时验证了InP/InGaAs宽光谱探测器对可见光信号的探测.相比标准的InP/In0.53Ga0.47As短波探测器,InP/InGaAs宽光谱探测器显示了可见/短波双波段探测的效果,大大丰富了探测目标的信息量,可显著提升对目标的识别率.
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