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高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备

段瑜,  张筱丹,  孙浩,  朱亚安,  王光华,  宋立媛,  于晓辉,  万锐敏,  季华夏,  李亚文

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段瑜, 张筱丹, 孙浩, 朱亚安, 王光华, 宋立媛, 于晓辉, 万锐敏, 季华夏, 李亚文. 高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备[J]. 红外技术, 2015, (12): 1022-1026.
引用本文: 段瑜, 张筱丹, 孙浩, 朱亚安, 王光华, 宋立媛, 于晓辉, 万锐敏, 季华夏, 李亚文. 高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备[J]. 红外技术, 2015, (12): 1022-1026.
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DUAN Yu, ZHANG Xiao-dan, SUN Hao, ZHU Ya-an, WANG Guang-hua, SONG Li-yuan, YU Xiao-hui, WAN Rui-min, JI Hua-xia, LI Ya-wen. Fabrication of High Brightness Top-emitting Green OLED Micro-display[J]. Infrared Technology , 2015, (12): 1022-1026.
Citation: DUAN Yu, ZHANG Xiao-dan, SUN Hao, ZHU Ya-an, WANG Guang-hua, SONG Li-yuan, YU Xiao-hui, WAN Rui-min, JI Hua-xia, LI Ya-wen. Fabrication of High Brightness Top-emitting Green OLED Micro-display[J]. Infrared Technology , 2015, (12): 1022-1026.
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高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备

  • 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司，云南昆明 650223; 昆明物理研究所，云南昆明 650223

  • 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司,云南昆明,650223

  • 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司

基金项目: 云南省应用基础研究重点项目，编号2012FA004；昆明市产业创新发展重点项目，编号2014-01-A-G-02-2006。
详细信息

  • 中图分类号: O482.3

Fabrication of High Brightness Top-emitting Green OLED Micro-display

    摘要
  • 摘要: 通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构，配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路，获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件，最大亮度可达20000 cd/m2。其起亮电压为2.6 V，亮度从20 cd/m2到20000 cd/m2的驱动电压摆幅为2.7 V，最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 mA/cm2时，色坐标CIEX＝0.286、CIEY＝0.665。该器件在1000 cd/m2和500 cd/m2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。
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