Design and Simulation of p-InGaAs/p-InP Heterojunction within Short-wave Infrared Threshold Field-assisted Photocathode
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摘要: 针对一种短波红外阈透射式光阴极，简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后，结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模，详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光电阴极的影响。研究结果显示：Schottky势垒偏压至少要达到8 V才能较好消除p-InGaAs/p-InP异质结的势垒影响。此时，为达到较小的漏电流， In0.53Ga0.47As光吸收层厚度2?m，InP发射层厚度1?m，掺杂浓度均为1×1016 cm－3。
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