N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响

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N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响

龚晓丹, 韩福忠

文章导航 > 红外技术 > 2015 > (4): 315-321,322

龚晓丹, 韩福忠. N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响[J]. 红外技术, 2015, (4): 315-321,322.

引用本文:

龚晓丹, 韩福忠. N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响[J]. 红外技术, 2015, (4): 315-321,322.

GONG Xiao-dan, HAN Fu-zhong. The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2015, (4): 315-321,322.

Citation:

GONG Xiao-dan, HAN Fu-zhong. The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2015, (4): 315-321,322.

龚晓丹, 韩福忠. N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响[J]. 红外技术, 2015, (4): 315-321,322.

引用本文:

龚晓丹, 韩福忠. N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响[J]. 红外技术, 2015, (4): 315-321,322.

GONG Xiao-dan, HAN Fu-zhong. The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2015, (4): 315-321,322.

Citation:

GONG Xiao-dan, HAN Fu-zhong. The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2015, (4): 315-321,322.

N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响

昆明物理研究所,云南昆明,650223
中国科学院昆明物理研究所

中图分类号: TN305.7
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出版历程

The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe

摘要: 报道了碲镉汞（HgCdTe）干法刻蚀诱导损伤的相关研究。由于干法刻蚀过程中，刻蚀剂主要采用CH4/H2，其裂解产生的H容易扩散到材料内部引起材料的电学性质发生改变，从而产生刻蚀诱导损伤。通过在刻蚀剂中引入一定量的N2，可以抑制H对材料电学性质的改变作用。
- 碲镉汞 /
- 干法刻蚀 /
- 诱导损伤 /
- N2

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