The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe
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摘要: 报道了碲镉汞(HgCdTe)干法刻蚀诱导损伤的相关研究。由于干法刻蚀过程中,刻蚀剂主要采用CH4/H2,其裂解产生的H容易扩散到材料内部引起材料的电学性质发生改变,从而产生刻蚀诱导损伤。通过在刻蚀剂中引入一定量的N2,可以抑制H对材料电学性质的改变作用。
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