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nBn型InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性研究

胡锐,  邓功荣,  张卫锋,  何雯谨,  冯江敏,  袁俊,  莫镜辉,  史衍丽

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胡锐, 邓功荣, 张卫锋, 何雯谨, 冯江敏, 袁俊, 莫镜辉, 史衍丽. nBn型InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性研究[J]. 红外技术, 2014, (11): 863-867.
引用本文: 胡锐, 邓功荣, 张卫锋, 何雯谨, 冯江敏, 袁俊, 莫镜辉, 史衍丽. nBn型InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性研究[J]. 红外技术, 2014, (11): 863-867.
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HU Rui, DENG Gong-rong, ZHANG Wei-feng, HE Wen-jin, FENG Jiang-min, YUAN Jun, MO Jing-hui, SHI Yan-li. Electrical and Optical Properties of nBn Based on Type-II InAs-GaSb Strained Layer Superlattice Infrared Detectors[J]. Infrared Technology , 2014, (11): 863-867.
Citation: HU Rui, DENG Gong-rong, ZHANG Wei-feng, HE Wen-jin, FENG Jiang-min, YUAN Jun, MO Jing-hui, SHI Yan-li. Electrical and Optical Properties of nBn Based on Type-II InAs-GaSb Strained Layer Superlattice Infrared Detectors[J]. Infrared Technology , 2014, (11): 863-867.
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nBn型InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性研究

  • 昆明物理研究所,云南 昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国家自然基金重点项目，编号U1037602。
详细信息

  • 中图分类号: TN215

Electrical and Optical Properties of nBn Based on Type-II InAs-GaSb Strained Layer Superlattice Infrared Detectors

    摘要
  • 摘要: 设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器，从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究，研究结果表明：理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外，研制了p-i-n结构器件并与nBn器件进行了比较，测试结果显示：在77 K温度下，nBn器件的暗电流要比p-i-n器件暗电流小2个量级。温度升高到150 K时，nBn器件暗电流变大2个量级，而p-i-n器件暗电流变大4个量级；nBn器件峰值探测率下降到1/5，p-i-n器件峰值探测率下降2个量级。可见nBn器件适合高温工作，适合高性能红外焦平面探测器的研制。
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