Study on Micro-loading Effect of Etching Rate of Dry Etching for HgCdTe
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摘要: 报道了碲镉汞干法刻蚀技术的刻蚀速率的一些研究结果。在同样的刻蚀条件下，当刻蚀区域的图形面积过小，刻蚀剂不易进入刻蚀区域，生成物也不易快速转移出去，使刻蚀速率变慢，这种效应可以等效于刻蚀的微负载效应。而当刻蚀区域的面积过大，刻蚀剂很快被消耗，也会使刻蚀速率变慢，这种效应称为负载效应。采用在同一碲镉汞芯片上制作不同刻蚀面积区域进行刻蚀，比较不同刻蚀面积对刻蚀速率的影响。
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