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变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征

牛军,  王萍,  钱芸生,  常本康

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文章导航 > 红外技术  > 2014 >  (7): 592-595
牛军, 王萍, 钱芸生, 常本康. 变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征[J]. 红外技术, 2014, (7): 592-595.
引用本文: 牛军, 王萍, 钱芸生, 常本康. 变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征[J]. 红外技术, 2014, (7): 592-595.
shu
NIU Jun, WANG Ping, QIAN Yun-Sheng, CHANG Ben-kang. Characterization of the Absorption Coefficient of Varied Doped GaAs Photocathodes[J]. Infrared Technology , 2014, (7): 592-595.
Citation: NIU Jun, WANG Ping, QIAN Yun-Sheng, CHANG Ben-kang. Characterization of the Absorption Coefficient of Varied Doped GaAs Photocathodes[J]. Infrared Technology , 2014, (7): 592-595.
shu

变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征

  • 南京理工大学电子工程与光电技术学院，江苏南京 210094; 南阳理工学院电子与电气工程学院，河南南阳 473004

  • 南阳理工学院电子与电气工程学院,河南南阳,473004

  • 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏南京,210094

  • 南阳理工学院

  • 南京理工大学

基金项目: 国家自然科学基金，编号61240042，61301023。
详细信息

  • 中图分类号: TN223

Characterization of the Absorption Coefficient of Varied Doped GaAs Photocathodes

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