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InGaAs固体微光器件研究进展

史衍丽 胡锐 张卫锋 冯云祥 邓功荣 褚祝军 李燕红 郭骞 陆强

史衍丽, 胡锐, 张卫锋, 冯云祥, 邓功荣, 褚祝军, 李燕红, 郭骞, 陆强. InGaAs固体微光器件研究进展[J]. 红外技术, 2014, (2): 81-88.
引用本文: 史衍丽, 胡锐, 张卫锋, 冯云祥, 邓功荣, 褚祝军, 李燕红, 郭骞, 陆强. InGaAs固体微光器件研究进展[J]. 红外技术, 2014, (2): 81-88.
SHI Yan-li, HU Rui, ZHANG Wei-feng, FENG Yun-xiang, DENG Gong-rong, CHU Zhu-jun, LI Yan-hong, GUO Qian, LU Qiang. Progress of InGaAs Solid-State Low-Light Devices[J]. Infrared Technology , 2014, (2): 81-88.
Citation: SHI Yan-li, HU Rui, ZHANG Wei-feng, FENG Yun-xiang, DENG Gong-rong, CHU Zhu-jun, LI Yan-hong, GUO Qian, LU Qiang. Progress of InGaAs Solid-State Low-Light Devices[J]. Infrared Technology , 2014, (2): 81-88.

InGaAs固体微光器件研究进展

基金项目: 国家自然基金重点项目,编号U1037602。
详细信息
  • 中图分类号: TN215

Progress of InGaAs Solid-State Low-Light Devices

  • 摘要: InGaAs器件具有光谱响应宽、量子效率高、响应速度快、数字化读出、高温工作、可靠性好以及寿命长等优点,符合新一代微光器件的发展需求,在国际上成为固体微光器件的一种新选择,获得了重要的发展和应用。文章就 InGaAs 固体微光器件材料属性、器件性能以及成像特点等几方面进行了详细分析,介绍了当前InGaAs器件的发展趋势,以及研制320×256 InGaAs阵列的最新进展。研究结果表明 InGaAs 材料生长及器件工艺具有较好的可控性和稳定性,为实现高性能、实用化的InGaAs固体微光器件提供了技术支撑。
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