热释电红外探测器PZT晶片粘接质量控制

黄江平; 冯江敏; 王羽; 苏玉辉; 信思树; 李玉英

黄江平, 冯江敏, 王羽, 苏玉辉, 信思树, 李玉英. 热释电红外探测器PZT晶片粘接质量控制[J]. 红外技术, 2013, (12): 764-767.

引用本文:

黄江平, 冯江敏, 王羽, 苏玉辉, 信思树, 李玉英. 热释电红外探测器PZT晶片粘接质量控制[J]. 红外技术, 2013, (12): 764-767.

HUANG Jiang-ping, FENG Jiang-min, WANG Yu, SU Yu-hui, XIN Si-shu, LI Yu-ying. Quality Control of the PZT Wafer Bonding in Pyroelectric Infrared Detector[J]. Infrared Technology , 2013, (12): 764-767.

Citation:

HUANG Jiang-ping, FENG Jiang-min, WANG Yu, SU Yu-hui, XIN Si-shu, LI Yu-ying. Quality Control of the PZT Wafer Bonding in Pyroelectric Infrared Detector[J]. Infrared Technology , 2013, (12): 764-767.

热释电红外探测器PZT晶片粘接质量控制

Quality Control of the PZT Wafer Bonding in Pyroelectric Infrared Detector

摘要

摘要: 热释电红外探测器芯片研制中，晶片粘接是芯片研制中的关键工艺之一。本文详细论述了粘接胶的选择依据及晶片粘接质量控制。确定了适合器件研制的粘接胶和粘胶工艺流程。对粘接中出现的问题及解决办法进行了讨论。研制出了完全能满足器件工艺要求的热释电探测器PZT晶片。

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