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摘要: 设计了一款采用 CMOS 工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路,分析了 CMOS 工艺抗辐射的特点,重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法,采用了双环保护结构、对 NMOS 管使用环形栅和冗余设计等措施.该设计电路经过流片,测试结果表明该抗辐射加固设计方法有效可行.
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